Silīcija nitrīda plēves augšanas mehānisms
LPCVD augšanas vienādojums:
PECVD izaugsmes vienādojums ir:
No diviem iepriekš minētajiem skaitļiem mēs redzam, ka:
SIH4 nodrošina SI avotu, un N2 vai NH3 nodrošina N avotu.
Tomēr, ņemot vērā augsto LPCVD reakcijas temperatūru, ūdeņraža atomus bieži noņem no silīcija nitrīda plēves, tāpēc ūdeņraža saturs reaģentā ir zems. Silīcija nitrīds galvenokārt sastāv no silīcija un slāpekļa elementiem.
PECVD reakcijas temperatūra ir zema, un ūdeņraža atomus var saglabāt filmā kā reakcijas blakusproduktu, ieņemot N atomu un Si atomu pozīcijas, padarot ūdeņraža saturu plēve augstāku, kā rezultātā ģenerētā plēve nav blīva.
Kāpēc PECVD bieži izmanto NH3, lai nodrošinātu slāpekļa avotu?
NH3 molekulas satur NH atsevišķas saites, bet N2 molekulas satur Nauda trīskāršās saites. N≡N ir stabilāks un tai ir augstāka saites enerģija, tas ir, lai reakcijas notikšanai būtu nepieciešama augstāka temperatūra. NH₃ zemā NH saites enerģija padara to par pirmo izvēli slāpekļa avotiem zemas temperatūras PECVD procesos.
