Par Sibranch Microelectronics
Uzņēmums Sibranch Microelectronics tika dibināts 2006. gadā un kura galvenā mītne atrodas Ningbo, Ķīnā, un to izveidoja materiālu zinātnes ekspertu komanda ar dziļām saknēm pusvadītāju nozarē. Mūsu misija ir nodrošināt augstas- kvalitātes pusvadītāju plāksnes un ar tiem saistītos pakalpojumus klientiem visā pasaulē.
Mūsu produktu klāsts
Mēs specializējamies visaptverošā silīcija vafeļu portfelī, tostarp:
- Standarta vienas -puses pulētas (SSP) un dubultās-puses pulētas (DSP) vafeles
- Testa vafeles un augstākās kvalitātes vafeles
- Silīcija-uz-Izolatora (SOI) plāksnes
- Monētu ripināšanas vafeles
- Pieejami diametri līdz 12 collām
- Augšanas metodes: CZ, MCZ un FZ
- Pielāgotas opcijas: neitronu apstarošana, jebkura kristalogrāfiskā orientācija, izgriezti substrāti, plaši pretestības diapazoni (augsta un zema), īpaši-plakanas, īpaši-plānas un biezas vafeles
Vērtība{0}}Pievienotie pakalpojumi
Papildus vafeļu piegādei mūsu pieredzējusī komanda nodrošina uzlabotas apstrādes iespējas:
- Plānās kārtiņas nogulsnēšana (oksīda, nitrīda, metāla slāņi)
- Silīcija epitaksijas augšanas un epitaksijas pakalpojumi (SOS, GaN, GOI utt.)
- Vafeļu retināšana, muguras slīpēšana un griešana
Speciālās vafeles
Mēs piegādājam arī plašu speciālo kristālisko substrātu klāstu:
- Safīra vafeles: 2" līdz 8", pieejams A-plaknē, R-plaknē, M-plaknē, C-plaknē ar epi-pulēšanas un smalkas slīpēšanas iespējām
- GaAs vafeles: 2" līdz 8", P-tips, N-tips, pus-vadošas un daļēji{5}}izolācijas pakāpes
- SiC vafeles: 4" līdz 12", 4H-N, 6H-N un 6H-SI politipi
- Stikla vafeles: 1" līdz 12", kausētais silīcija dioksīds, Borofloat un B270 materiāli
- Viena kristāla kvarca vafeles: 2" līdz 6", X-izgriezuma, Y-izgriešanas un Z-izgriešanas orientācijas
