Apraksts

Tehniskie parametri

Produkta apraksts

SiC manekena vafele ir augstas kvalitātes produkts, ko plaši izmanto pusvadītāju rūpniecībā. Tā ir silīcija karbīda vafele, kas īpaši izstrādāta pusvadītāju ierīču testēšanai un atkļūdošanai. SiC manekena vafele ir svarīgs instruments pusvadītāju ražotājiem, jo tas palīdz nodrošināt savu produktu kvalitāti un integritāti.

Viena no galvenajām SiC manekena vafeles priekšrocībām ir tās augstā tīrība un viendabīgums. Tas nodrošina precīzus un uzticamus rezultātus pusvadītāju ierīču testēšanā un atkļūdošanā. Vafele ir arī ļoti izturīga un izturīga pret bojājumiem, padarot to par ideālu izvēli lietošanai skarbos darba apstākļos.

Vēl viena SiC manekena vafeles priekšrocība ir tās daudzpusība. To var izmantot plašā pusvadītāju lietojumu klāstā, tostarp barošanas ierīcēs, RF ierīcēs un optoelektronikā. Tas padara to par vērtīgu rīku pusvadītāju ražotājiem, kuriem nepieciešams pārbaudīt dažādas ierīces.

4H N-TIPA SiC 100 mm, 350μm VAFEĻU SPECIFIKĀCIJA
Raksta numurs	W4H100N-4-PO (vai CO)-350
Apraksts	4H SiC substrāts
Politips	4H
Diametrs	(100+0.0-0.5) mm
Biezums	(350±25) μm (Inženiertehniskā pakāpe ±50 μm)
Pārvadātāja veids	n-veida
Dopants	Slāpeklis
Pretestība (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (Inženiertehniskā pakāpe<0.025Ω▪cm)
Vafeļu orientācija	(4+0.5) grādu
	Inženierzinātņu pakāpe	Ražošanas pakāpe	Ražošanas pakāpe
	2.1	2.2	2.3
Mikrocaurules blīvums	Mazāks vai vienāds ar 30 cm-²	Mazāks vai vienāds ar 10 cm-²	Mazāks vai vienāds ar 1 cm-²
Mikrocaurules Brīvā zona	Nav precizēts	Lielāks vai vienāds ar 96%	Lielāks vai vienāds ar 96%
Orientācijas dzīvoklis (OF)
Orientēšanās	Paralēli {1-100} ±5 grādi
Orientēšanās plakans garums	(32,5±2.0) mm
ldentifikācijas dzīvoklis (IF)
Orientēšanās	Si-face: 90 grādi cw, no orientācijas plakana ±5 grādi
ldentifikācijas plakans garums	(18.0+2.0) mm
Virsma	1. iespēja: Si-face standarta pulēšana Epi-ready C-face optiskā pulēšana
	2. iespēja: Si-face CMP Epi-ready, C-face optiskā pulēšana
Iepakojums	Vairāku vafeļu (25) piegādes kaste
	(Viens vafeļu iepakojums pēc pieprasījuma)

6H N-TIPA SiC, 2" VAFEĻU SPECIFIKĀCIJA
Raksta numurs	W6H51N-0-PM-250-S
Apraksts	Ražošanas pakāpes 6H SiC substrāts
Politips	6H
Diametrs	(50,8±38) mm
Biezums	(250±25) UM
Pārvadātāja veids	n-veida
Dopants	Slāpeklis
Pretestība (RT)	0.06-0.10Ω▪CM.
Vafeļu orientācija	(0+0.5) grādu
Mikrocaurules blīvums	Mazāks vai vienāds ar 100 cm-²
Orientācija plakana orientācija	Paralēli {1-100} ±5 grādi
Orientēšanās plakans garums	(15,88±1,65) mm
Identifikācijas plakana orientācija	Si-face: 90 grādi cw. uzacu orientācija plakana ±5 grādi
ldentifikācijas plakans garums	(8+1,65) mm
Virsma	Si-face standarta laka Epi-ready
Virsma	C-face matēts
Iepakojums	Iepakojiet vienu vafeļu iepakojumu vai vairāku vafeļu piegādes kastīti

Produkta attēls

SiC GaN Wafer

Kāpēc izvēlēties mūs

Mūsu produkti tiek iegūti tikai no pieciem pasaules labākajiem ražotājiem un vadošajām vietējām rūpnīcām. To atbalsta augsti kvalificētas vietējās un starptautiskās tehniskās komandas un stingri kvalitātes kontroles pasākumi.

Mūsu mērķis ir sniegt klientiem visaptverošu individuālu atbalstu, nodrošinot netraucētus saziņas kanālus, kas ir profesionāli, savlaicīgi un efektīvi. Mēs piedāvājam zemu minimālo pasūtījuma daudzumu un garantējam ātru piegādi 24 stundu laikā.

Rūpnīcas izstāde

Mūsu plašais krājums sastāv no 1000+ produktiem, nodrošinot, ka klienti var veikt pasūtījumus tikai par vienu gabalu. Mūsu pašu īpašumā esošās iekārtas kubiņu griešanai un slīpēšanai, kā arī pilnīga sadarbība globālajā industriālajā ķēdē ļauj mums veikt ātru piegādi, lai nodrošinātu klientu apmierinātību un ērtības vienā pieturā.

Mūsu sertifikāts

Mūsu uzņēmums lepojas ar dažādajiem sertifikātiem, ko esam nopelnījuši, tostarp mūsu patenta sertifikātu, ISO9001 sertifikātu un valsts augsto tehnoloģiju uzņēmuma sertifikātu. Šie sertifikāti atspoguļo mūsu centību inovācijās, kvalitātes vadībā un apņemšanos sasniegt izcilību.

Populāri tagi: sic manekena vafele, Ķīna sic manekena vafeļu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca