Ningbo Sibranch Mikroelektronika Tehnoloģija Co., Ltd.

lvValoda
  • Latviešu
  • English
  • 日本語
  • 한국어
  • Français
  • Deutsch
  • Español
  • Italiano
  • Português
  • Việt Nam
  • Türkçe
  • عربي
  • русский
  • Čeština
  • ไทย
  • Eesti
  • Gaeilgenah Éireann
  • Bai Miaowen
  • íslenska
  • Cymraeg
  • Български
  • اردو
  • Polski
  • hrvatski
  • українська
  • bosanski
  • فارسی
  • Lietuvių
  • עברית
  • România limbi
  • Ελληνικά
  • dansk
  • magyar
  • Norsk
  • suomi
  • Nederlands
  • Svenska
  • slovenčina
  • slovenščina
  • हिंदी
  • Indonesia
  • Melayu
  • Malti
  • Kreyòl Ayisyen
  • Català
  • বাংলা
  • Srbija jezik (latinica)
  • O'zbek
Ningbo  Sibranch  Mikroelektronika  Tehnoloģija  Co., Ltd.
E-pasts

sales@sibranch.com

Tālr

+86-574-8745-9965+86-188-5806-1329

WhatsApp

+8618858061329

  • Mājas
  • Par mums
    • Mūsu sertifikāts
    • Mūsu priekšrocība
  • Produkti
    • Silīcija vafele
      Silīcija vafele
    • Silīcija lietņi / daļas / nesējs
      Silīcija lietņi / daļas / nesējs
    • Gallija arsenīds
      Gallija arsenīds
    • Monokristālisks AL2O3
      Monokristālisks AL2O3
    • Silīcijs uz izolatora
      Silīcijs uz izolatora
    • Saules elements
      Saules elements
    • Stikla vafele
      Stikla vafele
    • Silīcija karbīda vafele
      Silīcija karbīda vafele
    • Palīgmateriāli
      Palīgmateriāli
  • Inventārs
  • Jaunumi
  • apkalpošana
    • Si Vafeļu izmēra samazināšana/malu slīpēšana
    • Si Vafeļu fona slīpēšana/griešana kubiņos
    • MEMS
  • Sazinies ar mums
Inventārs
Mājas / Inventārs

Rūpniecības ziņas

  • 8 collu EPITAXIAL Silicon Wafer inventāra atjauninājums_01162023
  • 4, 6, 8 collu silīcija vafeļu inventāra atjauninājums 08112022
  • Sibranch 20210918 4&6″ silīcija plāksnīšu krājumu atjauninājums

Ieteicams

  • 300 mm silīcija vafele
    300 mm silīcija vafele

    300 mm silīcija plāksne ir materiāls, kas ir būtisks pusvadītāju ražošanai, kas

  • Silīcija oksīda vafele
    Silīcija oksīda vafele

    Thermal Oxide Silicon Wafer ir silīcija vafeles, uz kurām ir izveidots silīcija

  • Silīcija vafeļu substrāts
    Silīcija vafeļu substrāts

    Silīcija vafeļu substrāti ir būtiska pusvadītāju integrālo shēmu un ierīču

  • 12 collu kabatas vafele
    12 collu kabatas vafele

    12 collu vafeļu fona slīpēšanas un griešanas kubiņos procesam ir būtiska nozīme

Sūtīt ziņu

Sibranch 20190617 6″ silīcija plāksnīšu krājumu atjauninājums

Jul 30, 2023 Atstāj ziņu

10

 

Pāri

Sibranch 20190129 4″ silīcija plāksnīšu krājumu atjauninājums

Sibranch 20190422 6″/8″ silīcija plāksnīšu krājumu atjauninājums

Nākamo

Jums varētu patikt arī
12 collu silīcija vafele

12 collu silīcija vafele

Skatīt vairāk
Divpusējas pulētas silīcija vafeles

Divpusējas pulētas silīcija vafeles

Skatīt vairāk
Silīcija fotoelementu šūna

Silīcija fotoelementu šūna

Skatīt vairāk
Kristāliskā silīcija šūnas

Kristāliskā silīcija šūnas

Skatīt vairāk
PBT gredzens

PBT gredzens

Skatīt vairāk
Monokristāliskā silīcija saules paneļi

Monokristāliskā silīcija saules paneļi

Skatīt vairāk
Ningbo  Sibranch  Mikroelektronika  Tehnoloģija  Co., Ltd.

Pieprasījums Zvanīt: +86-574-8745-9965
+86-188-5806-1329

E - pasts: sales@sibranch.com

Ātrā navigācija
  • Mājas
  • Par mums
  • Produkti
  • Inventārs
  • Jaunumi
  • apkalpošana
  • Sazinies ar mums
  • Lapas karte
Produkta kategorija
  • Silīcija vafele
  • Silīcija lietņi / daļas / nesējs
  • Gallija arsenīds
  • Monokristālisks AL2O3
  • Silīcijs uz izolatora
  • Saules elements

QR kods

QR Code

Autortiesības © Ningbo Sibranch Mikroelektronika Tehnoloģija Co., Ltd. Visi Tiesības Rezervēts.Privātuma iestatījumi

Mājas

Telefons

E-pasts

Izmeklēšana

Bag

0